欧陆注册上海天数智芯半导体有限公司研发出一种降低硅中介层信号损耗的专利技术，通过调整硅中介层中的金属层配置参数，减少预设第一金属层与第二金属层间形成的寄生电容，从而优化信号传输效率。

　　天眼查显示，上海天数智芯半导体有限公司“硅中介层及调整方法、芯片及封装方法”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118378588A。

　　2.5D(2.5-Dimension，2.5维)封装技术会使用硅中介层，将晶粒设置在硅中介层上，硅中介层设置于基底上，晶粒通过硅中介层中互连线、金属层、硅通孔等与基底连接。然而，硅中介层为一种类三维结构，其内部的不同结构之间会形成等效电路，等效电路可能会影响信号的传输，使得信号的损耗增大。

　　目前，硅中介层所导致的信号损耗通常被忽略，而随着硅中介层尺寸的缩小和性能的提升，硅中介层已经严重影响芯片中信号的正常传输，因此，亟需降低硅中介层所产生的信号损耗。

　　本申请实施例提供一种硅中介层及调整方法、芯片及封装方法，涉及芯片封装领域。硅中介层调整方法包括：获取包括硅中介层设计文件；所述硅中介层设计文件中包括预设第一金属层、预设第二金属层和预设电介质及各自的配置参数，所述预设第一金属层用于信号传输，所述预设第二金属层与所述预设第一金属层相对设置；所述预设第一金属层与预设第二金属层的相对的表面通过所述预设电介质隔开；调整目标参数以降低所述预设第一金属层、所述预设第二金属层之间形成的寄生电容的容值，得到目标硅中介层设计文件。通过降低寄生电容容值，降低信号通过金属层时的损耗。

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